日韩午夜成人精品免费网_免费看污成人午夜网站_亚洲综合中文字幕无线码_白菜电子平台大全_免费AA级毛片av无码无广告_国产乱人乱偷精品视频_日本亚洲欧美综合社区_在线观看黄色视频国产_色播五月综合_91蜜臀精品国产自偷在线

    表1和表2是各國(guó)瓷料和MLC水平的對(duì)照表。以Z5U、X7R和COG(NPO)三種瓷料為例，各指標(biāo)發(fā)展的歷程如表1所示商用MLC樣品水平列于表2。

    為了使產(chǎn)品的尺寸更小和諧振頻率更高，MLCC制造商將面臨著兩方面的挑戰(zhàn):一方面要求瓷料的介電常數(shù)更高，超過10000，另一方面在保持高介電常數(shù)(>100)的條件下要求瓷膜更薄(<10μm)。在要求高諧振頻率和低串聯(lián)電阻的場(chǎng)合時(shí)，這類MLCC越來越多地用于耦合、旁路或?yàn)V波電路中。為了優(yōu)化電性能，必須確定材料、設(shè)計(jì)和裝配方法的影響。

    在此領(lǐng)域內(nèi)日本取得了領(lǐng)先地位。村田制作所宣稱他們開發(fā)了1μF的電容器，尺寸僅為3.2mmX1.6mm為傳統(tǒng)電容器的一半。其制作方法是采用顆粒極細(xì)的鈦酸鋇粉末，這樣，所用的介質(zhì)更薄。當(dāng)然，給定尺寸的電容器電容量增加，根據(jù)該公司的記載和生產(chǎn)是以月產(chǎn)五百成只起步。

    在用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)和航天探測(cè)設(shè)備的耐高溫電子系統(tǒng)中，需要穩(wěn)定的耐高溫(300~600C)多層陶瓷電容器作傳感器。所用材料應(yīng)與高溫半導(dǎo)體(SiC、金剛石)相容。美國(guó)賓州大學(xué)正在尋求順電和弛豫型的I類介質(zhì)瓷BaZrO3、Ba (Mg1/3Ta2/3) O3、 PMN和PZT,高Tc鐵電體La2Ti2O、Sr2Nb2O,和反鐵電體Biz (Mg4/Nb2/3) O7?？刂谱罴呀M成的純度、加工方法和缺陷，可優(yōu)化材料，從而導(dǎo)致600C下的電阻率和擊穿強(qiáng)度提高。

    隨著日趨嚴(yán)厲的環(huán)保法規(guī)的出臺(tái)，必須開發(fā)對(duì)環(huán)境無(wú)污染的低燒介質(zhì)瓷料:它不產(chǎn)生像PbO這一類揮發(fā)物質(zhì)，不需要在以溶劑為基礎(chǔ)的粘合劑系統(tǒng)中加工。美國(guó)TAM陶瓷公司正在研究采用CuO基焙燒輔助料來必須開發(fā)低燒結(jié)Z5U和Y5V介質(zhì)瓷料。根據(jù)所要求的介電常數(shù)(高達(dá)10000以上)，瓷料含各種比值的BaCuO2 : WO3或BaCuO2: MoO3。 在1100C 下焙燒2小時(shí)，密度可超過理論值的95%。WOz使居里溫度下移，而MoO3卻沒有影響。

    對(duì)于諸如VLSI DRAM (超大規(guī)模集成電路動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)元件用的電荷儲(chǔ)存電容器和高速開關(guān)VLSI器件中控制同聲噪音用的低感去耦電容器，要求介質(zhì)材料漏電流低，擊穿強(qiáng)度高和介電常數(shù)高，對(duì)于256      位的DRAM,要求電荷儲(chǔ)存密度在(20~115)pC/cm2的范圍內(nèi)，漏電流密度在(30~360) mA/cm2范圍內(nèi)，介質(zhì)厚度在(0. 01~0.2)μm范圍內(nèi)。美國(guó)Arizona州立大學(xué)的初步研究表明，用溶膠凝膠法制得的非鐵電鈣鈦礦型PLT (含摩爾分?jǐn)?shù)為28%La的鈦酸鉛)薄膜有希望滿足這些要求。這類薄膜的厚度為0.5μm,作成1mm  的電容器，在200V下介電常數(shù)為850，電荷儲(chǔ)存密度為15. 8μC/cm2,漏電流密度為0. 5mA/cm2’，估計(jì)充電時(shí)間為0. 1ns。