用于高壓旁路和耦合電路中，耐直流高壓與較低的介質(zhì)損耗等特點。
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因為陶瓷電容穩(wěn)定，絕緣性好，耐高壓，且價格相對地便宜，所以在電子元器件市場中中占不少份額，其外觀呈藍(lán)色居多，隨著電子技術(shù)不斷地升級進(jìn)步，瓷片電容在發(fā)展有長足的發(fā)展，并可廣泛地應(yīng)用。
其陶瓷電容環(huán)境條件對測量結(jié)果的影響：依照載體區(qū)別可分為類I瓷介電容和II類瓷介電容，一貫NP0,SL0,COG是I類瓷介電容，X7R,X5R,Y5U,Y5V是II類瓷介電容，在不同的作工溫度情況下,電荷儲藏會有相對明顯地改變，在差異的工作溫度下，電容標(biāo)稱容量與實質(zhì)容值界限的不同。比如在50℃時的測試容量和30℃時的測試容量有差異。所以我們不難看出，在內(nèi)外環(huán)境溫度相比高的狀況下,電容的容值測量結(jié)果就會明顯偏低。因此小編提倡放置在25℃的條件下，10-30分鐘時間,讓原料居于穩(wěn)固的測試環(huán)境下再來容值測量。
陶瓷電容材料退化的基本現(xiàn)象：原料退化是指電容器的容值范圍因時間下降的形勢，這再全部以瓷系材料做絕緣體的材料物品中都有產(chǎn)生，是一種自然但避免不了的形勢。因由是由于內(nèi)部晶體形態(tài)隨溫度和時間導(dǎo)致了變化讓其容值降低，歸屬可逆原理。
當(dāng)對退化的原料提供超出材料居里點期間中，當(dāng)環(huán)境溫度復(fù)原到室溫后,原料的分子組織就折回最初的形態(tài)。材料就會開始老化的不斷循環(huán)，陶瓷電容的容值將回復(fù)到正常標(biāo)準(zhǔn)中。
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