X2電容,也叫安規(guī)電容，又叫薄膜電容。主要用于電源輸入的L/N跨接進(jìn)行EMI抑制用，和輸入口并聯(lián)使用，優(yōu)點(diǎn)如下：

1.這種電容非常穩(wěn)定，隨著時(shí)間和穩(wěn)度的變化很小，所以輸入不容易受到環(huán)境因素影響。

2.和其他的類型的陶瓷電容器不同，薄膜電容器的容值受電壓的影響小。一個(gè)X7R的陶瓷電容在0V和50%的應(yīng)用電壓的時(shí)候，容值變化達(dá)到40%。

3.和大多數(shù)類型的電容不同，薄膜電容的耗散因子非常低。這就意味著在AC電流流過薄膜電容的時(shí)候產(chǎn)生的熱量很少。X7R電容把流過其電流的10%轉(zhuǎn)化為熱量，而薄膜電容的卻小于0。1%。

安規(guī)電容是指用于這樣的場(chǎng)合,即電容器失效后,不會(huì)導(dǎo)致電擊,不危及人身安全. 它包括X電容各Y電容兩種類型，x電容是跨接在電力線兩線（L-N）之間的電容，一般選用金屬薄膜電容,因?yàn)榻饘倩∧る娙萜鳎w積較大，但其允許瞬間充放電的電流也很大，而其內(nèi)阻相應(yīng)較小。普通電容紋波電流的指標(biāo)都很低，動(dòng)態(tài)內(nèi)阻較高。用普通電容代替X電容，除了電容耐壓無法滿足標(biāo)準(zhǔn)之外，紋波電流指標(biāo)也難以符合要求。金屬化薄膜電容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除了卷繞型之外，也有疊層型。金屬化薄膜這種型態(tài)的電容器具有一種所謂的我我復(fù)原作用(Self Healing Action)，即假設(shè)電極的微小部份因?yàn)殡娊缳|(zhì)脆弱而引起短路時(shí)，引起短路部份周圍的電極金屬，會(huì)因當(dāng)時(shí)電容器所帶的靜電能量或短路電流，而引發(fā)更大面積的溶 融和蒸發(fā)而恢復(fù)絕緣，使電容器再度回復(fù)電容器的作用；Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間（L-E，N-E）的電容，一般是成對(duì)出現(xiàn)?；诼╇娏鞯南拗疲琘電容值不能太大，一般X電容是uF級(jí)，Y電容是nF級(jí)。X電容抑制差模干擾，Y電容抑制共模干擾。

安規(guī)電容安全等級(jí)應(yīng)用中允許的峰值脈沖電壓過電壓等級(jí)(IEC664)

X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ

X2 ≤2.5kV Ⅱ

X3 ≤1.2kV ——

安規(guī)電容安全等級(jí) 絕緣類型 額定電壓范圍

Y1 雙重絕緣或加強(qiáng)絕緣 ≥ 250V

Y2 基本絕緣或附加絕緣 ≥150V ≤250V

Y3 基本絕緣或附加絕緣 ≥150V ≤250V

Y4 基本絕緣或附加絕緣 <150V

x2電容是接在零線火線之間的主要作用是抑制差模干擾和共模干擾。

x電容是跨接在電力線兩線(L-N)之間的電容,一般選用金屬薄膜電容;Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間(L-E,N-E)的電容,一般是成對(duì)出現(xiàn).基于漏電流的限制,Y電容值不能太大,一般X電容是uF級(jí),Y電容是nF級(jí).X電容抑制差模干擾,Y電容抑制共模干擾.