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高壓瓷片電容CT81-3KV-Y5U-182M

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產(chǎn)品用途及特點(diǎn):

用于高壓旁路和耦合電路中,耐直流高壓與較低的介質(zhì)損耗等特點(diǎn)。

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產(chǎn)品參數(shù) / Product Details

  • 【產(chǎn)品型號】CT81-3KV-Y5U-182M
  • 【所屬分類】CT81高壓瓷片電容
  • 【本體高度】9mm
  • 【電容量】1800pF
  • 【本體厚度】3.8mm
  • 【容量編號】182M
  • 【本體寬度】11.5mm
  • 【主要材料】Y5U
  • 【額定電壓】3KVDC
  • 【引線間距】7.5mm
  • 【測試電壓】1800VDC
  • 【引線長度】3-22mm
  • 【標(biāo)準(zhǔn)偏差】M(±20%)
  • 【引線直徑】0.55mm
  • 【損耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【絕緣電阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【溫度范圍】-40℃~+110℃
如需了解其它參數(shù)請通過右側(cè)電話或者微信 、QQ咨詢

資料下載 / Product Details

產(chǎn)品詳細(xì) / Product Details

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推薦閱讀 / Product Details


電子是科技發(fā)展上不可缺少的元器件,今天小編要跟大家談?wù)劥山殡娙?。瓷介電容電容量老化的問題以及它的老化規(guī)律,相信大家都十分的關(guān)注。一起跟小編來了解一下這方面的內(nèi)容吧!


瓷介電容器所采用的大多數(shù)2類陶瓷介質(zhì),都具有鐵電特性并呈現(xiàn)出一個(gè)居里溫度特性。介質(zhì)在這個(gè)溫度以上具有高度對稱的立方晶體結(jié)構(gòu),而低于居里溫度時(shí),立方晶體結(jié)構(gòu)的對稱性就降低。即使在單晶體內(nèi)這種狀態(tài)的轉(zhuǎn)變也是很明顯的。在實(shí)際陶瓷中通常陶瓷中通常被擴(kuò)大到一個(gè)有限的溫度范圍之內(nèi),但在所有的情況下,它是電容量/溫度曲線上的某一個(gè)峰值。


在熱波動的影響下,介質(zhì)冷卻至居里溫度之后的很長一段時(shí)間內(nèi),晶體點(diǎn)陣中的離子會連續(xù)運(yùn)動到勢能較小的位置,這就引起了電容量老化現(xiàn)象。從此瓷介電容器的電容量不斷的減小。


如果將電容器加熱至高于居里溫度的某一溫度,則就會起到消除老化的作用,即通過老化而使電容量減少的部分恢復(fù),而在電容器再次冷卻時(shí),會重新開始老化。


瓷介電容電容量的老化規(guī)律


從冷卻至居里溫度之后的第1小時(shí)內(nèi),電容量的減少是不好確定的。但從這時(shí)間之后它按對常規(guī)律減少(見K,Wplessner,phys.soc.vol.69B,p1261,1956),這個(gè)規(guī)律可用一個(gè)老化常數(shù)表示。


老化常數(shù)K用介質(zhì)老化的過程中引起的電容量減少的百分比來表示。其介質(zhì)的老化過程是以“十倍”的變化方式進(jìn)行的,即使在某一個(gè)時(shí)間內(nèi),例如1h到10h,瓷介電容器的老化增加十倍。由于電容量減少的規(guī)律承對數(shù)的,在1h到100h之間老化,則電容量減少的百分比將是在2K,在1h到1000h之間老化是3K。


看完本文內(nèi)容相信大家對瓷介電容電容量老化和規(guī)律有所了解。

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