用于高壓旁路和耦合電路中,耐直流高壓與較低的介質(zhì)損耗等特點(diǎn)。
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因?yàn)樘沾呻娙莘€(wěn)定,絕緣性好,耐高壓,且價(jià)格相對(duì)地便宜,所以在電子元器件市場(chǎng)中中占不少份額,其外觀呈藍(lán)色居多,隨著電子技術(shù)不斷地升級(jí)進(jìn)步,瓷片電容在發(fā)展有長足的發(fā)展,并可廣泛地應(yīng)用。
其陶瓷電容環(huán)境條件對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響:依照載體區(qū)別可分為類I瓷介電容和II類瓷介電容,一貫NP0,SL0,COG是I類瓷介電容,X7R,X5R,Y5U,Y5V是II類瓷介電容,在不同的作工溫度情況下,電荷儲(chǔ)藏會(huì)有相對(duì)明顯地改變,在差異的工作溫度下,電容標(biāo)稱容量與實(shí)質(zhì)容值界限的不同。比如在50℃時(shí)的測(cè)試容量和30℃時(shí)的測(cè)試容量有差異。所以我們不難看出,在內(nèi)外環(huán)境溫度相比高的狀況下,電容的容值測(cè)量結(jié)果就會(huì)明顯偏低。因此小編提倡放置在25℃的條件下,10-30分鐘時(shí)間,讓原料居于穩(wěn)固的測(cè)試環(huán)境下再來容值測(cè)量。
陶瓷電容材料退化的基本現(xiàn)象:原料退化是指電容器的容值范圍因時(shí)間下降的形勢(shì),這再全部以瓷系材料做絕緣體的材料物品中都有產(chǎn)生,是一種自然但避免不了的形勢(shì)。因由是由于內(nèi)部晶體形態(tài)隨溫度和時(shí)間導(dǎo)致了變化讓其容值降低,歸屬可逆原理。
當(dāng)對(duì)退化的原料提供超出材料居里點(diǎn)期間中,當(dāng)環(huán)境溫度復(fù)原到室溫后,原料的分子組織就折回最初的形態(tài)。材料就會(huì)開始老化的不斷循環(huán),陶瓷電容的容值將回復(fù)到正常標(biāo)準(zhǔn)中。
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